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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：7A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：20.5mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 類型：P溝道

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0.31164

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.36A,1.15A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：370mΩ @ 650mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.12W(Tc) 類型：N溝道和P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：33A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：12mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 類型：雙N溝道

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1.123494

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：5A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：580mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 類型：N溝道

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1.231084

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：190V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：540mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道

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1.177024

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：11A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4.2A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 類型：P溝道

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0.3392

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：5.6A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：40mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：580mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

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0.16059

Description：Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

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Description：Mosfet Array 100V 3A (Tc) 1.67W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

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Description：Mosfet Array 100V 3A (Tc), 3.5A (Tc) 2W (Tc), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP

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N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0

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MOSFET N-CH 100V 60A TO-252

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N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T

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P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,

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P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH

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