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							PIP-SEMI
						

PIP-Semi成立于美國科羅拉多州的一家高科技公司。公司研發(fā)團隊來自仙童、IR、TFSS，自2003年組成后一直專注于先進半導體功率器件和集成電路的設(shè)計研發(fā)、芯片加工和封裝測試工藝技術(shù)。公司開發(fā)和生產(chǎn)VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先進半導體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品，廣泛應用于節(jié)能、綠色照明、智能電網(wǎng)、電動汽車、工控設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域。

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：17A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：380mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W(Tc) 類型：N溝道

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