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關(guān)于FIRST SEMI

							FIRST SEMI
						

福斯特集團（FIRST SEMI），2010年成立于美國佛羅里達，總部設立在中國深圳，公司是一家集半導體芯片研發(fā)、方案設計、封裝制造、測試編帶、產(chǎn)品銷售為一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品廣泛應用于無人機、機器人、筆記本電腦、液晶電視、手機、智能穿戴、家電、通訊設備、照明應用、汽車電子等諸多領域。

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福斯特半導體

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A(Tj) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 類型：N溝道

最新賣價	包裝	應用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 250A 漏源導通電阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：13A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：650mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：7A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 類型：N溝道

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