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關(guān)于FIRST SEMI

							FIRST SEMI
						

福斯特集團（FIRST SEMI），2010年成立于美國佛羅里達，總部設(shè)立在中國深圳，公司是一家集半導體芯片研發(fā)、方案設(shè)計、封裝制造、測試編帶、產(chǎn)品銷售為一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于無人機、機器人、筆記本電腦、液晶電視、手機、智能穿戴、家電、通訊設(shè)備、照明應(yīng)用、汽車電子等諸多領(lǐng)域。

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福斯特半導體

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A(Tj) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 250A 漏源導通電阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：13A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：650mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：7A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：20A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：420mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：239W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：7A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：3.8V @ 250uA 漏源導通電阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 類型：N溝道

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