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關于CET-MOS

							CET-MOS
						

華瑞功率電子股份有限公司(CET-MOS) 為一群擁有多年研發(fā)設計及生產(chǎn)制造經(jīng)驗的團隊所組成，沿襲華瑞公司超過25年的技術與經(jīng)驗，致力于開發(fā)高質(zhì)量金屬氧化半導體場效晶體管(MOSFET) 之自有品牌公司。CET-MOS團隊可提供高可靠度的各種功率組件，亦協(xié)助各國際大廠ODM與OEM設計封裝并提供完整解決方案。CET-MOS擁有各種不同的封裝型式，適用于各類電力電子產(chǎn)品上。CET-MOS產(chǎn)品的電壓范圍由 -200V (P 通道) 至高壓+1000V (N 通道)，并可提供單一或多核心的訂制化產(chǎn)品。CET-MOS產(chǎn)品已被廣泛應用于網(wǎng)絡通訊、電源供應器、通訊電子產(chǎn)品、光電控制裝置、消費性電子及工業(yè)應用產(chǎn)品等領域。提供客戶最有競爭力及完整快速的解決方案。

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：5.3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：50mΩ @ 45.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4.6A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：60mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導通電阻：85mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：132mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：30A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：150V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：70mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 類型：N溝道

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3.770844

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：25A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：23mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3.2A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：78mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3.1A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 250uA 漏源導通電阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：87A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：8A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：850mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：57A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：24mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：11A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：315mΩ @ 5.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：60A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：25V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：90A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：55V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：10.5mΩ @ 62A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 類型：N溝道

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