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創(chuàng)新是科信發(fā)展的原動力，從事SMD表面貼片分立器件生產、研發(fā)、銷售30年，一直專注SMD表面貼片分立器件小型化。公司的產品應用于各類愈加智能化與模塊化的電子設備，如安防、數(shù)碼、智能手機、工控、汽車和家電。

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產品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2.6A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：130mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

最新賣價	包裝	應用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

產品分類：

肖特基二極管

正向壓降（Vf）：800mV @ 100mA 直流反向耐壓（Vr）：30V 平均整流電流（Io）：200mA

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其他晶體管

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其他晶體管

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產品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4.2A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：1.3V @ 250uA 漏源導通電阻：50mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

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產品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：P溝道

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產品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：5A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：900mV @ 250uA 漏源導通電阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 類型：P溝道

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其他晶體管

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產品分類：

肖特基二極管

正向壓降（Vf）：600mV @ 1A 直流反向耐壓（Vr）：40V 平均整流電流（Io）：1A

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產品分類：

肖特基二極管

正向壓降（Vf）：500mV @ 200mA 直流反向耐壓（Vr）：30V 平均整流電流（Io）：200mA

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產品分類：

快恢復二極管

正向壓降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐壓(Vr)：1kV 平均整流電流(Io)：1A 反向電流(Ir)：5μA 1kV 反向恢復時間(trr)：500ns

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產品分類：

快恢復二極管

正向壓降(Vf)：875mV 1A 直流反向耐壓(Vr)：200V 平均整流電流(Io)：2A 工作溫度(最大值)：+175℃ (Tj) 反向電流(Ir)：2μA 200V

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產品分類：

肖特基二極管

直流反向耐壓(Vr)：40V 平均整流電流(Io)：1A 正向壓降(Vf)：600mV@1A

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其他晶體管

集電極電流Ic：600mA 額定功率：300mW 晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓Vce：150V

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其他晶體管

集電極電流Ic：1.5A 額定功率：300mW 晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓Vce：25V

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其他晶體管

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其他晶體管

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其他晶體管

集電極電流Ic：200mA 額定功率：300mW 晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓Vce：40V

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其他晶體管

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其他晶體管

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6.5A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.1V @ 250uA 漏源導通電阻：22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：N溝道

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0.145432

產品分類：

開關二極管

二極管配置：- 功率：- 正向壓降(Vf)：- 直流反向耐壓(Vr)：- 工作溫度(最大值)：- 平均整流電流(Io)：- 反向電流(Ir)：- 反向恢復時間(trr)：- 工作溫度(最小值)：-

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產品分類：

FET/MOSFET 陣列

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產品分類：

FET/MOSFET 陣列

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產品分類：

穩(wěn)壓器

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產品分類：

穩(wěn)壓器

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穩(wěn)壓器

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產品分類：

紅外/UV/可見光發(fā)射器

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產品分類：

FET/MOSFET 單體

N-Channel MOSFET

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