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							ISSI
						

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者：(I) 數(shù)字消費電子、(II) 網(wǎng)絡、(III) 移動通信和 (IV) 汽車電子。公司的主要產品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。公司還設計和銷售 EEPROM 和偽 SRAM。公司面向高增長市場提供低成本、高質量的半導體產品，并尋求與客戶建立長期合作關系。長期以來，公司一直是存儲器產品（包含較低密度和較小批量產品）的可靠供應商，即使在產能緊張的時期亦是如此。

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其他存儲器

eMMC64GB,153BallFBGA,3.3V,RoHS

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Managed NAND Flash Serial e-MMC 3.3V 128G-bit 128G/32G/16G x 1/4-bit/8-bit 100-Pin LBGA

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IS45S16100E-6TLA

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512K WORDS X 16 BITS X 2 BANKS 16MB SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II

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SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 10ns 28-Pin PDIP

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IS64VF204818B-7.5B2LA3

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SRAM Chip Sync Dual 2.5V 36M-bit 2M x 18 7.5ns Automotive 119-Pin BGA

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IC41C16100AS-60K

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DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 5V

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IC41LV16100A-60K

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DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V

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eMMC8GB3.3V200MhzeMMCNANDFlash

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IS21ES16G-JQLI-TR

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IS25LP256D-RGLE

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FLASH - NOR 存儲器 IC 256Mb（32M x 8）串行 133 MHz 7 ns 24-TFBGA（6x8）

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IS42S32160F-7BLI

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動態(tài)隨機存取存儲器512M,3.3V,S動態(tài)隨機存取存儲器,16Mx32,143Mhz,90ballBGA(8mmx13mm)RoHS,IT

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IS42S86400F-7TLI

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動態(tài)隨機存取存儲器512M,3.3V,S動態(tài)隨機存取存儲器,64Mx8,143Mhz,54pinTSOPIIRoHS,IT

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IS46TR81024BL-107MBLA1

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動態(tài)隨機存取存儲器8G1Gx81866MT/s1.35VDDR3LA-Temp

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IS43TR16256A-15HBLI

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Product Overview :DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

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IS42S16320F-7BL

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動態(tài)隨機存取存儲器512M,3.3V,S動態(tài)隨機存取存儲器,32Mx16,143MHz,54ballBGA(8mmx13mm),RoHS

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IS42S16320D-7BLI

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SDRAM 存儲器 IC 512Mb（32M x 16）并聯(lián) 143 MHz 5.4 ns 54-TW-BGA（8x13）

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IS43DR82560C-25DBL

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其他存儲器

SDRAM - DDR2 存儲器 IC 2Gb（256M x 8）并聯(lián) 400 MHz 400 ps 60-TWBGA（8x10.5）

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89.02516

IS43LR16160G-6BLI

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其他存儲器

Product Overview :DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA

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21.91868

IS42SM16400M-75BLI

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其他存儲器

SDRAM - 移動存儲器 IC 64Mb（4M x 16）并聯(lián) 133 MHz 6 ns 54-TFBGA（8x8）

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