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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者:(I) 數(shù)字消費電子、(II) 網(wǎng)絡、(III) 移動通信和 (IV) 汽車電子。 公司的主要產品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 公司還設計和銷售 EEPROM 和偽 SRAM。 公司面向高增長市場提供低成本、高質量的半導體產品,并尋求與客戶建立長期合作關系。 長期以來,公司一直是存儲器產品(包含較低密度和較小批量產品)的可靠供應商,即使在產能緊張的時期亦是如此。
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型號:
IS42SM32160C-75BL
品牌:
芯成
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其他存儲器
描述:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA
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型號:
IS42SM32160C-75BLI
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其他存儲器
描述:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA
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型號:
IS42VM32200K-6BLI
品牌:
芯成
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其他存儲器
描述:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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IS42VM32200K-6BLI-TR
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DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R
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DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.2V 78-Pin FBGA
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DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA
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描述:
存儲器 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin FBGA
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IS43TR85120AL-107MBL
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512MX8, 256MX16 4GB DDR3 SDRAM
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描述:
SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 4Gb(512M x 8) 并聯(lián) 933 MHz 20 ns 78-TWBGA(9x10.5)
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IS45S16320B-7TLA2
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DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TSOP-II
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IS46TR16128AL-125KBLA2
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描述:
SDRAM - DDR3 存儲器 IC 2Gb(128M x 16) 并聯(lián) 800 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)
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IS64LPS409618B-166TQLA3
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其他存儲器
描述:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 72M-bit 4M x 18 3.8ns Automotive 100-Pin TQFP
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IS46TR16512BL-125KBLA2
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描述:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA
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型號:
IS66WVE4M16TCLL-70BLI
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其他存儲器
描述:
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
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型號:
IS46TR85120AL-107MBLA2
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其他存儲器
描述:
512Mx8 4Gb DDR3 SDRAM
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型號:
IS61LF102418A-7.5B3LI
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其他存儲器
描述:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-bit 1M x 18 7.5ns 165-Pin BGA
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