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							ISSI
						

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者：(I) 數(shù)字消費電子、(II) 網(wǎng)絡、(III) 移動通信和 (IV) 汽車電子。公司的主要產(chǎn)品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。公司還設計和銷售 EEPROM 和偽 SRAM。公司面向高增長市場提供低成本、高質量的半導體產(chǎn)品，并尋求與客戶建立長期合作關系。長期以來，公司一直是存儲器產(chǎn)品（包含較低密度和較小批量產(chǎn)品）的可靠供應商，即使在產(chǎn)能緊張的時期亦是如此。

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12JLI

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SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mbit Parallel 12 ns 32-SOJ..

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-6T-TR

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SDRAM Memory IC 16Mbit Parallel 166 MHz 5.5 ns 50-TSOP II..

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SRAM - Asynchronous Memory IC 3Mbit Parallel 10 ns 100-LQFP (14x20)..

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

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SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 2Mbit Parallel 90 MHz 8.5 ns 100-LQFP (14x20)..

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SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4Mbit Parallel 117 MHz 7.5 ns 100-LQFP (14x20)..

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SDRAM Memory IC 16Mbit Parallel 100 MHz 7 ns 50-TSOP II..

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SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mbit Parallel 133 MHz 6.5 ns 100-LQFP (14x20)..

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TL

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SDRAM Memory IC 16Mbit Parallel 166 MHz 5.5 ns 50-TSOP II..

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SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II..

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SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mbit Parallel 12 ns 32-SOJ..

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SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 55 ns 36-TFBGA (6x8)..

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SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3.1 ns 165-TFBGA (13x15)..

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SDRAM Memory IC 256Mbit Parallel 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA (8x13)..

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SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 10 ns 44-TSOP II..

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SDRAM Memory IC 16Mbit Parallel 143 MHz 5.5 ns 60-TFBGA (6.4x10.1)..

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