MicroWave Technology, Inc. 是一家全球領先的制造商，產品覆蓋射頻和微波分立半導體產品、砷化鎵和氮化鎵射頻功率放大器、低噪聲 pHEMT 器件、MMIC、無線放大器、混合式模塊以及連接化的微波放大器。 MicroWave Technology, Inc. (MwT) 由幾位技術負責人于 1982 年在加利福尼亞州硅谷成立，他們在砷化鎵 (GaAs) 器件設計和制造方面擁有豐富的經驗。 公司擁有占地 35000 平方英尺的工廠，主要資產包括其砷化鎵半導體制造設施以及混合式芯片和線微波集成電路 (HMIC) 制造設施。 垂直制造和產品優(yōu)勢給 MwT 在微波元件市場帶來了非同尋常的靈活性和機遇。 MwT 是美國分立砷化鎵二極管和晶體管（FET、 pHEMT 和效應二極管）的領先制造商。 早期工作集中在專有的金屬噴鍍系統(tǒng)對器件可靠性的影響方面，該工藝能使 MwT 的器件不受氫污染影響，而這一點對高可靠性行業(yè)來說至關重要。 這些器件采用專有環(huán)氧氯丙烷材料和四分之一微米凹進柵極工藝技術，可以生產出更高線性度（+48 dBm IP3，在 1 W P-1 dB 無線放大器中）和更低相位噪聲（-125 dBc，在 17.5 GHz DRO 條件下發(fā)生 100 KHz 偏移時）的額定功率輸出從 10 毫瓦至 5 瓦的器件。 這些器件采用芯片式或封裝式出售，廣泛用于無線基礎設施系統(tǒng)、工業(yè)射頻應用以及在各種國防和空間電子設備中廣泛用于從 10 MHz 至 40 GHz 的傳輸或信息接收信號的放大。