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關(guān)于NEC

NEC

NEC在中國的業(yè)務(wù)始于1972年向中國提供衛(wèi)星地面站建設(shè)服務(wù)，并先后涉足交換機、半導(dǎo)體、光通信、計算機、移動通信、IT解決方案等領(lǐng)域，建立了多家獨資、合資企業(yè)。進入2010年，為了更好的滿足市場需求，NEC決定在中國實行統(tǒng)一的戰(zhàn)略和業(yè)務(wù)運營體制，以NEC(中國)有限公司作為大中華區(qū)地區(qū)總部，統(tǒng)領(lǐng)集團在華各項業(yè)務(wù)。主要內(nèi)容涵蓋運營商網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)、IT解決方案業(yè)務(wù)、IT網(wǎng)絡(luò)平臺業(yè)務(wù)、投影機顯示器產(chǎn)品、軟件開發(fā)銷售。作為NEC(中國)有限公司重要組成部分的NEC中國研究院立足中國、著眼未來，正在進行著包括基礎(chǔ)與應(yīng)用領(lǐng)域的研究和開發(fā)。

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最新賣價	包裝	應(yīng)用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

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DESCRIPTION The μPC2757TB and μPC2758TB are silicon monolithic integrated circuit designed as 1st frequency down converter for cellular/cordless telephone receiver stage. The ICs consist of mixer and local amplifier. The μPC2757TB features low current consumption and the μPC2758TB features improved intermodulation. From these two version, you can chose either IC corresponding to your system design. These TB suffix ICs which are smaller package than conventional T suffix ICs contribute to reduce your system size. The μPC2757TB and μPC2758TB are manufactured using NEC’s 20 GHz fT NESAT? silicon bipolar process. This process uses silicon nitride passivation film and gold electrodes. These materials can protect chip surface from external pollution and prevent corrosion/migration. Thus, this IC has excellent performance, uniformity and reliability. FEATURES ? Wideband operation : fRFin = 0.1 to 2.0 GHz, fIFin = 20 to 300 MHz ? High-density surface mounting : 6-pin super minimold package ? Low current consumption : ICC = 5.6 mA TYP. @ μPC2757TB ??????????????????????????? ????????? ICC = 11 mA TYP. @ μPC2758TB ? Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V ? Minimized carrier leakage : Due to double balanced mixer ? Equable output impedance : Single-end push-pull IF amplifier ? Built-in power save function APPLICATIONS ? Cellular/cordless telephone up to 2.0 GHz MAX. (example: GSM, PDC800M, PDC1.5G and so on): μPC2758TB ? Cellular/cordless telephone up to 2.0 GHz MAX. (example: CT1, CT2 and so on): μPC2757TB

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