關于GSI
GSI公司于1995年3月在加利福尼亞州的庫比蒂諾成立,總部位于加州的森尼維爾市。GSI公司專注于高性能的內(nèi)存。GSI設計、開發(fā)和市場廣泛的高性能記憶產(chǎn)品,用于網(wǎng)絡,軍事,醫(yī)療,汽車和其他應用。GSI專注于高交易率、高密度、低延遲、高帶寬、快時鐘存取次數(shù)和低功耗的內(nèi)存產(chǎn)品。提供不同尋常的長周期產(chǎn)品及市場上最大的高性能記憶產(chǎn)品,并完成前期和售后支持。GSI提供靜態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)品(SRAMs)和低延遲DRAM產(chǎn)品(LLDRAM)。GSI SRAMs采用世界級的低功耗0.25微米到65納米CMOS工藝技術。GSI的低延遲DRAM生產(chǎn)線是使用72nm DRAM工藝技術制造的。許多GSI產(chǎn)品特別推薦用于各種主機設備,如npu和FPGAs。在GSI技術中,GSI專注于提供世界上最大的力量,速度,密度,質(zhì)量,可靠性和交付的價值組合。