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深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司是一家半導(dǎo)體產(chǎn)品、電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、技術(shù)開發(fā)與銷售科技公司，由黃澤軍先生創(chuàng)立，總部位于深圳市南山區(qū)高新科技園。銳駿公司是中國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體和電子技術(shù)解決方案供應(yīng)商，專注MOS、IC領(lǐng)域在半導(dǎo)體產(chǎn)品、電子產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了系統(tǒng)的解決方案，為經(jīng)銷商客戶、終端客戶和消費(fèi)者提供有競(jìng)爭(zhēng)力的MOS、IC解決方案、產(chǎn)品和服務(wù)，并致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體事業(yè)，矢志成為中國(guó)最大的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、技術(shù)開發(fā)公司。主要產(chǎn)品包括：高中低壓MOS管、肖特基二極管、開關(guān)穩(wěn)壓管、電源管理芯片。

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管(單) PDFN3333 P溝道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-9.3A P=3.5W

最新賣價(jià)	包裝	應(yīng)用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

P溝道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-4A P=1.3W

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：30A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 類型：N溝道

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：3.5A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

最新賣價(jià)	包裝	應(yīng)用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：100A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W(Tc) 類型：N溝道

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管(單) N溝道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管(單) TO263 N溝道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：3A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：12A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 類型：N溝道

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1.1865

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：40A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：25mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 類型：N溝道

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