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							POTENS
						

博盛半導體股份有限公司成立于2012年4月，消費性中低壓MOSFET、工業(yè)用高壓高功率IGBT、Super Junction以及先進GaN/SiC原料制程產品等都在博盛半導體生產、研發(fā)的產品范圍內。本公司的產品線研發(fā)，廣泛適用于消費、通訊、工業(yè)及汽車應用之領域。例如: 5G應用、全自動駕駛車輛、無線電源傳輸、云端資料中心….等等。

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：176A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：168W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6.7A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：800mV @ 250uA 漏源導通電阻：24mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：80A 漏源電壓（Vdss）：80V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：6.2mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：114A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2.2V @ 250uA 漏源導通電阻：4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：183W(Tc) 類型：N溝道

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FET/MOSFET 單體

通用MOSFET SOP-8

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