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							POTENS
						

博盛半導(dǎo)體股份有限公司成立于2012年4月，消費性中低壓MOSFET、工業(yè)用高壓高功率IGBT、Super Junction以及先進GaN/SiC原料制程產(chǎn)品等都在博盛半導(dǎo)體生產(chǎn)、研發(fā)的產(chǎn)品范圍內(nèi)。本公司的產(chǎn)品線研發(fā)，廣泛適用于消費、通訊、工業(yè)及汽車應(yīng)用之領(lǐng)域。例如: 5G應(yīng)用、全自動駕駛車輛、無線電源傳輸、云端資料中心….等等。

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4.1A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：800mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：65mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：130A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 類型：N溝道

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