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SINO-IC
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SINO-IC
SINO-IC
上海光宇睿芯微電子有限公司專業(yè)從事半導體過壓保護器件和集成電路的設計、研發(fā)與銷售,是國內(nèi)掌握半導體過壓保護器件和集成電路核心技術的供應商之一。 公司產(chǎn)品品種多,覆蓋范圍廣,已廣泛應用于通訊系統(tǒng)的接口保護、便攜產(chǎn)品接口保護、鋰電池的過充過放保護、電源系統(tǒng)的過壓保護、以及LED驅動與保護等。主要產(chǎn)品類別: 1、TVS/ESD保護器件 2、半導體過電壓保護器件 3、功率MOSFET器件 4、肖特基二極管 6、數(shù)字三極管 7、穩(wěn)壓二極管 8、LED驅動電路。
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條
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型號:
MM3Z5V1-5
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
穩(wěn)壓二極管
描述:
最大功率:500mW 精度:±5% 反向漏電流:2uA @ 4.2V 穩(wěn)壓值(典型值):5.1V
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型號:
SS36
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
肖特基二極管
描述:
正向壓降(Vf):750mV @ 3A 直流反向耐壓(Vr):60V 平均整流電流(Io):3A
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
MM3Z7V5
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
穩(wěn)壓二極管
描述:
最大功率:500mW 精度:- 反向漏電流:2uA @ 4V 穩(wěn)壓值(典型值):7.5V
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SMBJ33CA
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他二極管
描述:
反向關斷電壓(典型值):33V 擊穿電壓(最小值):36.7V 峰值脈沖電流(10/1000us):11.3A 極性:Bidirectional 箝位電壓:53.3V
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型號:
SED30P30M
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):30A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:1.5V @ 250uA 漏源導通電阻:11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 類型:P溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SE30P12D
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):12A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:3V @ 250uA 漏源導通電阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 類型:P溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SE20P03
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):19A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:3V @ 250uA 漏源導通電阻:50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 類型:P溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SED3081M
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):80A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 類型:N溝道
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系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SE30200
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):200A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:3V @ 250uA 漏源導通電阻:1.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 類型:N溝道
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系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SE4953
品牌:
光宇睿芯
產(chǎn)品分類:
其他晶體管
描述:
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):4.9A 漏源電壓(Vdss):-30V 柵源極閾值電壓:2V @ 250uA 漏源導通電阻:55mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 類型:雙P溝道
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