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關(guān)于VBSEMI

							VBSEMI
						

深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司成立于2003年春，是一家集場(chǎng)效應(yīng)管的芯片開(kāi)發(fā)、封裝生產(chǎn)、銷售服務(wù)為一體的創(chuàng)新型民營(yíng)企業(yè)，企業(yè)以微碧品牌系列產(chǎn)品為核心，積極批量開(kāi)發(fā)、并根據(jù)不同客戶要求，為客戶量身定制高、中、低壓場(chǎng)效應(yīng)管；企業(yè)主要產(chǎn)品的封裝有：SOP-8 、TO-220（F）、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封裝產(chǎn)線，廣泛應(yīng)用于無(wú)人機(jī)、快充、通訊、醫(yī)療設(shè)備、小家電、家電控制板、電腦主板顯卡、MP3 MP4 MP5PMP播放器，MIDUMPC 、GPS、藍(lán)牙耳機(jī)、PDVD、車載DVD、汽車音箱、液晶顯示器、移動(dòng)電源、手機(jī)電池（鋰電池保護(hù)板）、LED電源等產(chǎn)品，十多年來(lái)，企業(yè)歷盡風(fēng)霜雪雨，贏得了廣大客戶的信賴和支持。

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其他晶體管

STS5DNF60L-VB 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 60V 7A 40mΩ@10V,7A 2個(gè)N溝道

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其他晶體管

STS7NF60L-VB 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 60V 12.6A 12mΩ@10V,12.6A N溝道

最新賣價(jià)	包裝	應(yīng)用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼
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SPU04N60C3-VB 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) VBSEMI TO-251 650V 4.5A 60W 2.1Ω@10V,3.1A 4V@250uA N溝道

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型號(hào)：

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其他晶體管

UT2955G-VB 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) VBSEMI TO-252 60V 30A 61mΩ@10V,30A P溝道

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型號(hào)：

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其他晶體管

STS4NF100-VB 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) VBSEMI SOP-8 100V 6.4A 40mΩ@10V,6.4A N溝道

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產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=4.0A SOT-23-6 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：4A 功率(Pd)：2W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.1A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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型號(hào)：

產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5.5A,3.4A SOT23-6 類型 N+P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.15W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,2.5A；55mΩ@10V,1.8A閾值電壓(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA; 0.7V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：2.1nC@5V；2.4nC@5V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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型號(hào)：

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：4.5nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：335pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：17pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.8A SOP8 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,5.8A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：- 反向傳輸電容(Crss@Vds)：- 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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產(chǎn)品分類：

射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=6.2A SOP-8 類型 N+N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6.8A 功率(Pd)：2.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：586pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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