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關于KIA

KIA

廣東可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 類型：N溝道

最新賣價	包裝	應用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼

產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：25A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：38mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：15A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA 漏源導通電阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9A 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3.5A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：55mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：P溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：47A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：81mΩ @ 15.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：417W 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：11A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 250uA 漏源導通電阻：420mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：25A 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：210mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

快恢復二極管

正向壓降(Vf)：1.8V 8A 直流反向耐壓(Vr)：700V 平均整流電流(Io)：8A 工作溫度(最大值)：+175℃ (Tj) 反向電流(Ir)：25μA 700V 反向恢復時間(trr)：30ns 工作溫度(最小值)：-65℃ (Tj)

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產(chǎn)品分類：

FET/MOSFET 陣列

晶體管 - FET，MOSFET KIA2808A33M3G MOS(場效應管) SOT23-3L

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3.5A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.8V @ 250uA 漏源導通電阻：57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：N溝道

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其他晶體管

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：40A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：175W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：190A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：3.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：123W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12A 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：20A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：130A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：9mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：150A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：3.5mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：30A 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 250uA 漏源導通電阻：200mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：333W 類型：N溝道

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其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：400V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：500mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：139W(Tc) 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

其他晶體管

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：20A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：260mΩ @ 10A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W(Tc) 類型：N溝道

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產(chǎn)品分類：

穩(wěn)壓器

輸出類型：固定最大輸入電壓：6.5V 輸出電壓(可調)：- 輸出電壓(固定)：1.5V 靜態(tài)電流(Iq)：- 壓降(max)：360mV @ 50mA(typ)

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穩(wěn)壓器

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射頻用FET/MOSFET

50A，60V KIA N-CHANNEL MOSFET

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穩(wěn)壓器

輸出類型：固定最大輸入電壓：6.5V 輸出電壓(可調)：- 輸出電壓(固定)：2.8V 靜態(tài)電流(Iq)：- 壓降(max)：380mV @ 200mA(typ)

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產(chǎn)品分類：

穩(wěn)壓器

輸出類型：固定最大輸入電壓：30V 輸出電壓(可調)：- 輸出電壓(固定)：5V 靜態(tài)電流(Iq)：- 壓降(max)：1.7V @ 40mA(typ)

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