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源芯半導(dǎo)體2004年成立于美國(guó)。本公司擁有IC設(shè)計(jì)技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并領(lǐng)先同行，擁有晶圓制程和封裝技術(shù)的設(shè)計(jì)能力，能提供客戶效能佳、品質(zhì)好以及高整合的產(chǎn)品。同時(shí)源芯半導(dǎo)體還致力于材料電子的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)。目前市場(chǎng)跨越地區(qū)有美國(guó)、日本、韓國(guó)、新加坡、香港、臺(tái)灣、大陸等地區(qū)。

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源芯半導(dǎo)體

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4.3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：60mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：9.1A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：37mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 類型：N溝道

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SPT20N120F1T8TL

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SPT60N65F1A1T8TL

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