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IRF830

型號： IRF830

描述： TMOS POWER FET 4.5 AMPERES 500 VOLTS RDS(on)= 1.5 ? This TMOS Power FET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ?Silicon Gate for Fast Switching Speeds ?Low RDS(on)to Minimize On–Losses, Specified at Elevated Temperature ?Rugged — SOA is Power Dissipation Limited ?Source–to–Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads

品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com

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參數(shù)	數(shù)值
Field-effect transistor type	Enhancement
Drain to Source voltage	500V
Continuous drain current	4.5A
Drain to Source on-state resis...	1500@10VmΩ
Package	TO-220

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IRF830