恒捷供應鏈
PUMZ1
加入對比型號： PUMZ1
品牌： 恩智浦
類別： Nor閃存
描述： ParameterDescriptionValuePart NumberComponent IdentifierPUMZ1TypeDevice TypeMOSFETPackagePhysical EnclosureTO-220Drain-Source Voltage (Vds)Maximum Voltage between Drain and S
品牌官網(wǎng)： www.nxp.com.cn
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
Brand
|
NXPSemiconductors
|
|
DateCode
|
03+
|
|
Package/Case
|
SOT363
|
|
MaximumDCCollectorCurrent
|
100mA
|
|
MaximumCollectorEmitterVoltage
|
40V
|
|
MaximumPowerDissipation
|
200mW
|
|
MinimumDCCurrentGain
|
120
|
|
TransistorConfiguration
|
Isolated
|
|
MaximumCollectorBaseVoltage
|
50V
|
|
MaximumEmitterBaseVoltage
|
5V
|
|
MaximumOperatingFrequency
|
100MHz
|
|
PinCount
|
6
|
|
NumberofElementsperChip
|
2
|
|
Height
|
1mm
|
|
Width
|
1.35mm
|
|
MinimumOperatingTemperature
|
-65°C
|
|
MaximumOperatingTemperature
|
+150°C
|
|
Length
|
2.2mm
|
|
MaximumCollectorEmitterSaturat...
|
0.2V
|
|
Dimensions
|
1x2.2x1.35mm
|
|
PartNumber
|
PUMZ1
|
|
Package
|
TO-220
|
|
Drain-SourceVoltage(Vds)
|
600V
|
|
Gate-SourceVoltage(Vgs)
|
±20V
|
|
ContinuousDrainCurrent(Id)
|
15A
|
|
PulseDrainCurrent(Idm)
|
80A
|
|
PowerDissipation(Ptot)
|
125W
|
|
JunctionTemperature(Tj)
|
-55°Cto+175°C
|
|
StorageTemperature(Tstg)
|
-65°Cto+150°C
|
|
GateCharge(Qg)
|
70nC
|
|
InputCapacitance(Ciss)
|
1200pF
|
|
OutputCapacitance(Coss)
|
350pF
|
|
ReverseTransferCapacitance(Crs...
|
250pF
|
|
On-StateResistance(Rds(on))
|
0.5Ω
|