恒捷供應(yīng)鏈
NGTG15N60S1EG
加入對(duì)比型號(hào)： NGTG15N60S1EG
類別： JFETs
封裝： TO-220-3
描述： 單晶體管, IGBT, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 引腳
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
包裝
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Tube
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封裝外殼
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TO-220-3
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系列
|
-
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脈沖電流 - 集電極 (Icm)
|
120A
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功率 - 最大值
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117W
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反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
|
-
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閘極電荷
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88nC
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安裝類型
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Through Hole
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不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）
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1.7V @ 15V, 15A
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IGBT 類型
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NPT
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-220
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25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值
|
65ns/170ns
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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30A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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600V
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Vceo
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600V
|
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Vce
|
1.75V
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晶體管封裝類型
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TO-220
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集電極直流電流
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30A
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功耗Pd
|
117W
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
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工作溫度最高值
|
150°C
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產(chǎn)品范圍
|
-
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針腳數(shù)
|
3引腳
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Pd-功率耗散
|
47W
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系列
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NGTG15N60S1
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集電極—射極飽和電壓
|
1.95V
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子類別
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IGBTs
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
|
IGBT晶體管
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
600V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
20V
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工廠包裝數(shù)量
|
50
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
|
Tube
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在25C的連續(xù)集電極電流
|
30A
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柵極—射極漏泄電流
|
100nA
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安裝風(fēng)格
|
ThroughHole
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