NGTB15N60S1EG
型號: NGTB15N60S1EG
類別: JFETs
封裝: TO-220-3
描述: ON Semiconductor NGTB15N60S1EGIGBT 晶體管 15A 600V IGBT
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Tube
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封裝外殼
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TO-220-3
|
系列
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-
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脈沖電流 - 集電極 (Icm)
|
120A
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功率 - 最大值
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117W
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反向恢復(fù)時間(trr)
|
270ns
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閘極電荷
|
88nC
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安裝類型
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Through Hole
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不同 Vge,Ic 時的 Vce(on)
|
1.7V @ 15V, 15A
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IGBT 類型
|
NPT
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-220
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25°C 時 Td(開/關(guān))值
|
65ns/170ns
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
30A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
600V
|
Pd-功率耗散
|
47W
|
系列
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NGTB15N60S1
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集電極—射極飽和電壓
|
1.7V
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子類別
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IGBTs
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
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IGBT晶體管
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
600V
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柵極/發(fā)射極最大電壓
|
20V
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工廠包裝數(shù)量
|
50
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Tube
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在25C的連續(xù)集電極電流
|
30A
|
柵極—射極漏泄電流
|
100nA
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安裝風(fēng)格
|
ThroughHole
|