NGTB03N60R2DT4G
型號(hào): NGTB03N60R2DT4G
類別: JFETs
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: 單晶體管, IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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平臺(tái)商品來源有保障嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
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-
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脈沖電流 - 集電極 (Icm)
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12A
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功率 - 最大值
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49W
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反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
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65ns
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閘極電荷
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17nC
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安裝類型
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Surface Mount
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不同 Vge,Ic 時(shí)的 Vce(on)
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2.1V @ 15V, 3A
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IGBT 類型
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-
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK
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25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值
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27ns/59ns
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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9A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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600V
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Vceo
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600V
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Vce
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1.7V
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晶體管封裝類型
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TO-252
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集電極直流電流
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9A
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功耗Pd
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49W
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
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工作溫度最高值
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175°C
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產(chǎn)品范圍
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-
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針腳數(shù)
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3引腳
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