NPT1012B
型號(hào): NPT1012B
類別: FET/MOSFET 陣列
封裝: -
描述: 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管DC-4.0GHzP1dB43dBmGain13dBGaN
品牌官網(wǎng): www.macom.com
- 賣盤信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
平臺(tái)商品來(lái)源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
平臺(tái)支持BOM詢價(jià)嗎?
平臺(tái)下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tray
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封裝外殼
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-
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系列
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-
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噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值)
|
-
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躍遷頻率
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-
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功率 - 最大值
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-
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功率 - 輸出
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-
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電壓 - 測(cè)試
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28V
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電流 - 測(cè)試
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225mA
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安裝類型
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-
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
-
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增益
|
13dB
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供應(yīng)商器件封裝
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-
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
-
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電壓 - 額定
|
100V
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
-
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噪聲系數(shù)
|
-
|
Pd-功率耗散
|
44W
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Id-連續(xù)漏極電流
|
4mA
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增益
|
13dB
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Vds-漏源極擊穿電壓
|
100V
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子類別
|
Transistors
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制造商
|
MACOM
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產(chǎn)品種類
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射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管
|
Vgs-柵源極擊穿電壓
|
3V
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工廠包裝數(shù)量
|
30
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晶體管極性
|
N-Channel
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商標(biāo)
|
MACOM
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封裝
|
Tray
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最大工作溫度
|
+200C
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Vgsth-柵源極閾值電壓
|
-1.8V
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安裝風(fēng)格
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ScrewMount
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
440mOhms
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