NST3906DP6T5G
型號(hào): NST3906DP6T5G
類別: IGBT陣列
封裝: SOT-963
描述: ON Semiconductor 晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-963封裝, 雙, 100 MHz, 6引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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SOT-963
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
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400mV @ 5mA, 50mA
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躍遷頻率
|
250MHz
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功率 - 最大值
|
350mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-963
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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200mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
40V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
-
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
100 @ 10mA, 1V
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安裝類型
|
表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
|
2
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最大功率耗散
|
420mW
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最大發(fā)射極-基極電壓
|
-5V
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最低工作溫度
|
-55°C
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引腳數(shù)目
|
6
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最大基極-發(fā)射極飽和電壓
|
-0.95V
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最大工作頻率
|
100MHz
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尺寸
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1.05x0.85x0.4mm
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最小直流電流增益
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100
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COO(CountryofOrigin)
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CN
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
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最大集電極-發(fā)射極電壓
|
40V
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最大直流集電極電流
|
200mA
|
最大集電極-基極電壓
|
-40V
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封裝類型
|
SOT-963
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最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
-0.4V
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