EMX26T2R
型號: EMX26T2R
品牌: 羅姆
類別: IGBT陣列
封裝: SOT-563, SOT-666
描述: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
品牌官網: www.rohm.com
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問題
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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SOT-563, SOT-666
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
300mV @ 5mA, 50mA
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躍遷頻率
|
250MHz
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功率 - 最大值
|
150mW
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
150mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
50V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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300nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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820 @ 50mA, 5V
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Pd-功率耗散
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150mW
|
直流電流增益hFE最大值
|
820at1mAat5V
|
零件號別名
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EMX26
|
集電極—射極飽和電壓
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300mV
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制造商
|
ROHMSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
150mA
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商標
|
ROHMSemiconductor
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封裝
|
Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
60V
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系列
|
EMX26
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子類別
|
Transistors
|
增益帶寬產品fT
|
250MHz
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產品種類
|
雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
50V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
820at1mAat5V
|
工廠包裝數(shù)量
|
8000
|
晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
12V
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