NST857BDP6T5G
型號: NST857BDP6T5G
類別: IGBT陣列
封裝: SOT-963
描述: 單晶體管 雙極, 雙PNP, -45 V, 100 MHz, 420 mW, -100 mA, 220 hFE
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tape & Reel (TR)
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封裝外殼
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SOT-963
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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700mV @ 5mA, 100mA
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躍遷頻率
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100MHz
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功率 - 最大值
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350mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-963
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
100mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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45V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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15nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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220 @ 2mA, 5V
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Vceo
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-45V
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hFE
|
220hFE
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晶體管封裝類型
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SOT-963
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晶體管極性
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雙PNP
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功耗Pd
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420mW
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集電極直流電流
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-100mA
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汽車質(zhì)量標準
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AEC-Q101MSL
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工作溫度最高值
|
150°C
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產(chǎn)品范圍
|
-
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ft
|
100MHz
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針腳數(shù)
|
6引腳
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