恒捷供應(yīng)鏈
NSS40300DDR2G
加入對比型號： NSS40300DDR2G
類別： IGBT陣列
封裝： 8-SOIC (0.154u0026quot;, 3.90mm Width)
描述： ON Semiconductor NSS40300DDR2G雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
平臺購物流程是怎樣的？
平臺商品來源有保障嗎？
平臺上展示的商品數(shù)量、價格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎？
平臺支持BOM詢價嗎?
平臺下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？
拍明芯城的訂單如何跟蹤?
拍明芯城的訂單可以提供合同嗎?
拍明芯城的發(fā)票如何開具?
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
包裝
|
Tape & Reel (TR)
|
|
封裝外殼
|
8-SOIC (0.154u0026quot;, 3.90mm Width)
|
|
系列
|
-
|
|
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
|
170mV @ 200mA, 2A
|
|
躍遷頻率
|
100MHz
|
|
功率 - 最大值
|
653mW
|
|
供應(yīng)商器件封裝
|
8-SOIC
|
|
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
3A
|
|
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
40V
|
|
安裝類型
|
Surface Mount
|
|
電流 - 集電極截止（最大值）
|
100nA (ICBO)
|
|
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
|
180 @ 1A, 2V
|
|
Pd-功率耗散
|
783mW
|
|
直流電流增益hFE最大值
|
250at10mAat2V
|
|
集電極—射極飽和電壓
|
0.135V
|
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
|
最小工作溫度
|
-55C
|
|
最大直流電集電極電流
|
-6A
|
|
集電極連續(xù)電流
|
-3A
|
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
|
封裝
|
Reel
|
|
最大工作溫度
|
+150C
|
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
|
集電極—基極電壓VCBO
|
-40V
|
|
資格
|
AEC-Q101
|
|
系列
|
NSS40300DD
|
|
子類別
|
Transistors
|
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
100MHz
|
|
產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-40V
|
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
250
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
2500
|
|
晶體管極性
|
PNP
|
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
-7V
|