ZXT12N20DXTA
型號: ZXT12N20DXTA
品牌: 美臺
類別: IGBT陣列
封裝: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118u0026quot;, 3.00mm Width)
描述: Diodes Incorporated ZXT12N20DXTA雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) Dual 20V NPN
品牌官網: www.diodes.com
- 賣盤信息
- 參數
- 常見問題
參數 | 數值 |
---|---|
封裝外殼
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8-TSSOP, 8-MSOP (0.118u0026quot;, 3.00mm Width)
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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200mV @ 50mA, 3.5A
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躍遷頻率
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112MHz
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功率 - 最大值
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1.04W
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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3.5A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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20V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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100nA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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300 @ 1A, 2V
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Pd-功率耗散
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870mW
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直流電流增益hFE最大值
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250at10mAat2V
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集電極—射極飽和電壓
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160mV
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制造商
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DiodesIncorporated
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最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
3.5A
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集電極連續(xù)電流
|
3.5A
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商標
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DiodesIncorporated
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
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50V
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封裝/箱體
|
MSOP-8
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系列
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ZXT12
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產品fT
|
112MHz
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產品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
20V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
250at10mAat2V,300at1Aat2V,200at3.5Aat2V,40at10Aat2V
|
工廠包裝數量
|
1000
|
晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
7.5V
|
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