NSBC114EDXV6T1G
型號(hào): NSBC114EDXV6T1G
類別: IGBT陣列
封裝: SOT-563, SOT-666
描述: 晶體管 雙極預(yù)偏置/數(shù)字, AEC-Q101, 雙路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 電阻比率
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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平臺(tái)商品來源有保障嗎?
平臺(tái)上展示的商品數(shù)量、價(jià)格及相關(guān)信息準(zhǔn)確嗎?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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SOT-563, SOT-666
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
250mV @ 300μA, 10mA
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躍遷頻率
|
-
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功率 - 最大值
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500mW
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
500nA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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35 @ 5mA, 10V
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電阻器 - 基底(R1)(歐姆)
|
10k
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電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆)
|
10k
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供應(yīng)商器件封裝
|
SOT-563
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
100mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
50V
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引腳數(shù)
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6引腳
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Vceo
|
50V
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電阻比R1/R2
|
1電阻比率
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集電極連續(xù)電流
|
100mA
|
R2
|
10kohm
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
數(shù)字晶體管極性
|
雙路NPN
|
基極輸入電阻R1
|
10kohm
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射頻晶體管封裝
|
SOT-563
|
Pd-功率耗散
|
357mW
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直流電流增益hFE最大值
|
35
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峰值直流集電極電流
|
100mA
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
100mA
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
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封裝
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Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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資格
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AEC-Q101
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系列
|
NSBC114EDXV6
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子類別
|
Transistors
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-預(yù)偏置
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
50V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
35
|
工廠包裝數(shù)量
|
4000
|
晶體管極性
|
NPN
|