恒捷供應(yīng)鏈
EMH10T2R
加入對比型號： EMH10T2R
類別： IGBT陣列
封裝： SOT-563, SOT-666
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
品牌官網(wǎng)： www.rohm.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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封裝外殼
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SOT-563, SOT-666
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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300mV @ 500μA, 10mA
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躍遷頻率
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250MHz
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功率 - 最大值
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150mW
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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500nA
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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56 @ 5mA, 5V
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電阻器 - 基底（R1）（歐姆）
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22k
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電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）
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22k
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供應(yīng)商器件封裝
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EMT6
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
100mA
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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50V
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Pd-功率耗散
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150mW
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直流電流增益hFE最大值
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80
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零件號別名
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EMH10
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峰值直流集電極電流
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100mA
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制造商
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ROHMSemiconductor
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最小工作溫度
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-55C
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集電極連續(xù)電流
|
100mA
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商標
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ROHMSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
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系列
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EMH10
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子類別
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Transistors
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-預(yù)偏置
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
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50V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
80
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工廠包裝數(shù)量
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8000
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晶體管極性
|
NPN
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