EMC5DXV5T1G
型號: EMC5DXV5T1G
類別: IGBT陣列
封裝: SOT-553
描述: ON Semiconductor EMC5DXV5T1G 雙 NPN + PNP 數(shù)字晶體管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 電阻比:0.47, 5引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Cut Tape (CT) Alternate Packaging
|
封裝外殼
|
SOT-553
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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250mV @ 300μA, 10mA
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躍遷頻率
|
-
|
功率 - 最大值
|
500mW
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安裝類型
|
Surface Mount
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
500nA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
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電阻器 - 基底(R1)(歐姆)
|
47k, 4.7k
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電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆)
|
47k, 10k
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供應商器件封裝
|
SOT-553
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
100mA
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
50V
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安裝類型
|
表面貼裝
|
每片芯片元件數(shù)目
|
2
|
最大功率耗散
|
500mW
|
最大發(fā)射極-基極電壓
|
6V
|
最低工作溫度
|
-55°C
|
引腳數(shù)目
|
5
|
尺寸
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1.7x1.3x0.6mm
|
最小直流電流增益
|
20
|
防靜電標準認證
|
符合
|
ROHS標準
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
50V
|
封裝類型
|
SOT-553
|
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
0.25V
|
Pd-功率耗散
|
500mW
|
直流電流增益hFE最大值
|
80
|
峰值直流集電極電流
|
100mA
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-55C
|
集電極連續(xù)電流
|
0.1A
|
商標
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
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系列
|
EMC5DXV5
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子類別
|
Transistors
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-預偏置
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
50V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
80,20
|
工廠包裝數(shù)量
|
4000
|
晶體管極性
|
NPN,PNP
|
通道數(shù)量
|
2Channel
|