恒捷供應鏈
NSBC115TPDP6T5G
加入對比型號： NSBC115TPDP6T5G
類別： IGBT陣列
封裝： SOT-963
描述： ON Semiconductor NSBC115TPDP6T5G雙極晶體管 - 預偏置 SOT-963 COMP BRT
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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包裝
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Tape & Reel (TR)
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封裝外殼
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SOT-963
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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250mV @ 1mA, 10mA
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躍遷頻率
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-
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功率 - 最大值
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339mW
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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500nA
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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160 @ 5mA, 10V
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電阻器 - 基底（R1）（歐姆）
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100k
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電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）
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-
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供應商器件封裝
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SOT-963
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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100mA
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
50V
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資格
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AEC-Q101
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系列
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NSBC115TPDP6
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峰值直流集電極電流
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100mA
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子類別
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Transistors
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制造商
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ONSemiconductor
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-預偏置
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
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50V
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最小工作溫度
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-55C
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集電極連續(xù)電流
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100mA
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工廠包裝數(shù)量
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8000
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晶體管極性
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NPN，PNP
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商標
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ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+150C
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通道數(shù)量
|
2Channel
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安裝風格
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SMD/SMT
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配置
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Dual
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