NJL1302DG
型號(hào): NJL1302DG
類別: IGBT陣列
封裝: TO-264-5
描述: 單晶體管 雙極, PNP, -260 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 45 hFE
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤(pán)信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
平臺(tái)購(gòu)物流程是怎樣的?
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Tube
|
封裝外殼
|
TO-264-5
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
3V @ 1A, 10A
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躍遷頻率
|
30MHz
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功率 - 最大值
|
200W
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-264
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
15A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
260V
|
安裝類型
|
Through Hole
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
50μA (ICBO)
|
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
75 @ 5A, 5V
|
Vceo
|
-260V
|
hFE
|
45hFE
|
晶體管封裝類型
|
TO-264
|
晶體管極性
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PNP
|
功耗Pd
|
200W
|
集電極直流電流
|
-15A
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
ft
|
30MHz
|
針腳數(shù)
|
5引腳
|
Pd-功率耗散
|
200000mW
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-65C
|
最大直流電集電極電流
|
15A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Tube
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
ThroughHole
|
集電極—基極電壓VCBO
|
260V
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系列
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NJL1302D
|
子類別
|
Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
30MHz
|
產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
260V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
75
|
工廠包裝數(shù)量
|
25
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|
配置
|
Single
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