NSS60601MZ4T1G
型號: NSS60601MZ4T1G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-261-4, TO-261AA
描述: ON Semiconductor 晶體管, NPN, 最大直流集電極電流 6 A, SOT-223封裝, 1 MHz, 3 + Tab引腳
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
|
TO-261-4, TO-261AA
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
300mV @ 600mA, 6A
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躍遷頻率
|
100MHz
|
功率 - 最大值
|
800mW
|
供應(yīng)商器件封裝
|
SOT-223
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
6A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
60V
|
安裝類型
|
Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
120 @ 1A, 2V
|
最大功率耗散
|
800mW
|
最大發(fā)射極-基極電壓
|
6V
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最低工作溫度
|
-55°C
|
引腳數(shù)目
|
3+Tab
|
最小直流電流增益
|
50
|
COO(CountryofOrigin)
|
MY
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封裝類型
|
SOT-223
|
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
0.3V
|
安裝類型
|
表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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汽車標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101
|
最大基極-發(fā)射極飽和電壓
|
0.9V
|
最大工作頻率
|
1MHz
|
尺寸
|
6.7x3.7x1.65mm
|
防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
|
ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
60V
|
最大直流集電極電流
|
6A
|
最大集電極-基極電壓
|
100V
|
Vceo
|
60V
|
hFE
|
50hFE
|
晶體管封裝類型
|
SOT-223
|
晶體管極性
|
NPN
|
功耗Pd
|
710mW
|
集電極直流電流
|
6A
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
ft
|
100MHz
|
針腳數(shù)
|
4引腳
|