NJD35N04G
型號: NJD35N04G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Tube Alternate Packaging
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封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.5V @ 20mA, 2A
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躍遷頻率
|
90MHz
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功率 - 最大值
|
45W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
4A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
350V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
50μA
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
2000 @ 2A, 2V
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
4A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Tube
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
700V
|
資格
|
AEC-Q101
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系列
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NJD35N04
|
子類別
|
Transistors
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產(chǎn)品種類
|
達林頓晶體管
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
350V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
2000,300
|
工廠包裝數(shù)量
|
75
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晶體管極性
|
NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|