恒捷供應(yīng)鏈
NSS20101JT1G
加入對(duì)比型號(hào)： NSS20101JT1G
類別： IGBT陣列
封裝： SC-89, SOT-490
描述： ONSemiconductorNSS20101JT1G
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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封裝外殼
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SC-89, SOT-490
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）
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220mV @ 100mA, 1A
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躍遷頻率
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350MHz
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功率 - 最大值
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300mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SC-89-3
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
1A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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20V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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100nA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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200 @ 100mA, 2V
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Pd-功率耗散
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300mW
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
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-55C
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最大直流電集電極電流
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2A
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商標(biāo)
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ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+150C
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安裝風(fēng)格
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SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
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40V
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資格
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AEC-Q101
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系列
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NSS20101J
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
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350MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
20V
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工廠包裝數(shù)量
|
3000
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晶體管極性
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NPN
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
6V
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配置
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Single
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