NZT660
型號: NZT660
類別: IGBT陣列
封裝: TO-261-4, TO-261AA
描述: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
品牌官網(wǎng): www.fairchildsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
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封裝外殼
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TO-261-4, TO-261AA
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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550mV @ 300mA, 3A
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躍遷頻率
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75MHz
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功率 - 最大值
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2W
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供應商器件封裝
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SOT-223-4
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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3A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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60V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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100 @ 500mA, 2V
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電流-集電極截止(最大)
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100nA(ICBO)
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直流電流增益(HFE)(最小值)@IC,的Vce
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100@500mA,2V
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安裝類型
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SurfaceMount
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電流-集電極(Ic)(最大)
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3A
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電壓-集電極發(fā)射極擊穿(最大)
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60V
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包
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SOT-23-3
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頻率-轉換
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75MHz
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功率-最大
|
2W
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工作溫度
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-55C~150C(TJ)
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Vce飽和(最大)@IB,IC
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550mV@300mA,3A
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