FZT717TA
型號: FZT717TA
類別: IGBT陣列
封裝: TO-261-4, TO-261AA
描述: Diodes Incorporated FZT717TA雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) PNP High gain
品牌官網: www.diodes.com
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-
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參數 | 數值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-261-4, TO-261AA
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系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
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320mV @ 50mA, 3A
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躍遷頻率
|
110MHz
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功率 - 最大值
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2W
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供應商器件封裝
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SOT-223
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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3A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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12V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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300 @ 100mA, 2V
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Pd-功率耗散
|
2W
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直流電流增益hFE最大值
|
300
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集電極—射極飽和電壓
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-320mV
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制造商
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DiodesIncorporated
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最小工作溫度
|
-55C
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最大直流電集電極電流
|
3A
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集電極連續(xù)電流
|
-3A
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商標
|
DiodesIncorporated
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封裝
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Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
-12V
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系列
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FZT717
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產品fT
|
110MHz
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產品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-12V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
300at10mAat2V,300at100mAat2V,160at3Aat2V,60at8Aat2V,45at10Aat2V
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工廠包裝數量
|
1000
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晶體管極性
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PNP
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
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