NSS20501UW3T2G
型號(hào): NSS20501UW3T2G
類別: IGBT陣列
封裝: 3-WDFN Exposed Pad
描述: 單晶體管 雙極, NPN, 20 V, 150 MHz, 1.5 W, 5 A, 180 hFE
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見(jiàn)問(wèn)題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
|
3-WDFN Exposed Pad
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
125mV @ 400mA, 4A
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躍遷頻率
|
150MHz
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功率 - 最大值
|
875mW
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供應(yīng)商器件封裝
|
3-WDFN (2x2)
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
5A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
20V
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安裝類型
|
Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA (ICBO)
|
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
200 @ 2A, 2V
|
Vceo
|
20V
|
hFE
|
180hFE
|
晶體管封裝類型
|
WDFN
|
晶體管極性
|
NPN
|
功耗Pd
|
1.5W
|
集電極直流電流
|
5A
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
ft
|
150MHz
|
針腳數(shù)
|
3引腳
|
Pd-功率耗散
|
1500mW
|
集電極—射極飽和電壓
|
110mV
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-55C
|
最大直流電集電極電流
|
7A
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
20V
|
資格
|
AEC-Q101
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系列
|
NSS20501UW3
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子類別
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Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
150MHz
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
20V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
200
|
工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
6V
|