恒捷供應鏈
NSS40200LT1G
加入對比型號： NSS40200LT1G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述： ON Semiconductor NSS40200LT1G雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) LESHANBE (CN1) XTR
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
封裝外殼
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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170mV @ 200mA, 2A
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躍遷頻率
|
100MHz
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功率 - 最大值
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460mW
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供應商器件封裝
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SOT-23-3 (TO-236)
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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2A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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40V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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100nA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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220 @ 500mA, 2V
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Pd-功率耗散
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460mW
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集電極—射極飽和電壓
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-0.135V
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制造商
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ONSemiconductor
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最小工作溫度
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-55C
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最大直流電集電極電流
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2A
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集電極連續(xù)電流
|
-2A
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商標
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ONSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
-40V
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資格
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AEC-Q101
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系列
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NSS40200L
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
100MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
-40V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
250
|
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工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
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晶體管極性
|
PNP
|
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
7V
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