NJVMJD32CT4G
型號: NJVMJD32CT4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: 單晶體管 雙極, PNP, -100 V, 3 MHz, 15 W, -3 A, 10 hFE
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Cut Tape (CT) Alternate Packaging
|
封裝外殼
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.2V @ 375mA, 3A
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躍遷頻率
|
3MHz
|
功率 - 最大值
|
1.56W
|
供應(yīng)商器件封裝
|
DPAK
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
3A
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
|
安裝類型
|
Surface Mount
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
20μA
|
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
10 @ 3A, 4V
|
Vceo
|
-100V
|
hFE
|
10hFE
|
晶體管封裝類型
|
TO-252
|
晶體管極性
|
PNP
|
功耗Pd
|
15W
|
集電極直流電流
|
-3A
|
汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
|
工作溫度最高值
|
150°C
|
產(chǎn)品范圍
|
-
|
ft
|
3MHz
|
針腳數(shù)
|
3引腳
|
Pd-功率耗散
|
15W
|
零件號別名
|
NJVMJD32CT4G-VF01
|
制造商
|
ONSemiconductor
|
最小工作溫度
|
-65C
|
集電極連續(xù)電流
|
3A
|
商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
100V
|
資格
|
AEC-Q101
|
系列
|
MJD32C
|
子類別
|
Transistors
|
最大集電極截止電流
|
50uA
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
3MHz
|
產(chǎn)品種類
|
達(dá)林頓晶體管
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
100V
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
25
|
工廠包裝數(shù)量
|
2500
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|
配置
|
Single
|