JANTXV2N3019S
型號(hào): JANTXV2N3019S
類別: IGBT陣列
封裝: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
描述: Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
品牌官網(wǎng): www.microsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
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包裝
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Bulk
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封裝外殼
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TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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系列
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Military, MIL-PRF-19500/391
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
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500mV @ 50mA, 500mA
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躍遷頻率
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-
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功率 - 最大值
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800mW
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-39
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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1A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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80V
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安裝類型
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Through Hole
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電流 - 集電極截止(最大值)
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10nA
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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50 @ 500mA, 10V
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ECCN
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EAR99
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Lifecyle
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Active
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Description
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Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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Taxonomy
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Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
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Country Of Origins
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Philippines
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Introduction Date
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2001-04-08 00
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EU RoHS
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No
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EU RoHS Version
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2011/65/EU, 2015/863
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Part Number Code
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View Code
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Supplier Cage Code
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7AFQ6
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