JANS2N3501
型號: JANS2N3501
類別: IGBT陣列
封裝: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
描述: Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray
品牌官網: www.microsemi.com
- 賣盤信息
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
|
Bulk
|
封裝外殼
|
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
|
系列
|
Military, MIL-PRF-19500/366
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
400mV @ 15mA, 150mA
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躍遷頻率
|
-
|
功率 - 最大值
|
1W
|
供應商器件封裝
|
TO-39
|
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
300mA
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
150V
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安裝類型
|
Through Hole
|
電流 - 集電極截止(最大值)
|
10μA (ICBO)
|
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
100 @ 150mA, 10V
|
PartStatus
|
Active
|
Automotive
|
No
|
HTS
|
8541.29.00.95
|
SupplierTemperatureGrade
|
Military
|
PCBchanged
|
3
|
ECCN(US)
|
EAR99
|
MaximumBaseEmitterSaturationVo...
|
0.8@1mA@10mA|1.2@15mA@150mA
|
StandardPackageName
|
TO-205-AF
|
MaximumCollector-EmitterSatura...
|
0.4@15mA@150mA|0.2@1mA@10mA
|
NumberofElementsperChip
|
1
|
Configuration
|
Single
|
PackageHeight
|
6.6(Max)
|
PinCount
|
3
|
Mounting
|
ThroughHole
|
MaximumDCCollectorCurrent(A)
|
0.3
|
SupplierPackage
|
TO-39
|
EURoHS
|
Compliant
|
MaximumCollectorBaseVoltage(V)
|
150
|
MinimumDCCurrentGain
|
50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|20@300mA@10V|100@150mA@10V
|
MaximumPowerDissipation(mW)
|
1000
|
MaximumOperatingTemperature(°C...
|
200
|
MaximumEmitterBaseVoltage(V)
|
6
|
Material
|
Si
|
LeadShape
|
ThroughHole
|
Diameter
|
9.4(Max)
|
ProductCategory
|
BipolarPower
|
Packaging
|
Tray
|
MinimumOperatingTemperature(°C...
|
-65
|
Type
|
NPN
|
MaximumCollector-EmitterVoltag...
|
150
|