CP191V-2N2222A-CT20
型號(hào): CP191V-2N2222A-CT20
類別: IGBT陣列
封裝: Die
描述: Central Semiconductor CP191V-2N2222A-CT20雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) NPN 2N2222A 75Vcbo Bare die-Waffle Pack
品牌官網(wǎng): www.centralsemi.com
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- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
包裝
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Tray
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封裝外殼
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Die
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系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
|
1V @ 50mA, 500mA
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躍遷頻率
|
300MHz
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功率 - 最大值
|
-
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供應(yīng)商器件封裝
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Die
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
800mA
|
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
40V
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安裝類型
|
Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
10nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
100 @ 150mA, 10V
|
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
|
40 V
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集電極—基極電壓 VCBO
|
75 V
|
集電極—射極飽和電壓
|
1 V
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子類別
|
Transistors
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制造商
|
Central Semiconductor
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
300 MHz
|
產(chǎn)品種類
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雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
最小工作溫度
|
- 65 C
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最大直流電集電極電流
|
800 mA
|
封裝 / 箱體
|
Die
|
集電極連續(xù)電流
|
800 mA
|
工廠包裝數(shù)量
|
20
|
晶體管極性
|
NPN
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商標(biāo)
|
Central Semiconductor
|
封裝
|
Waffle
|
最大工作溫度
|
+ 150 C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
|
6 V
|
直流電流增益 hFE 最大值
|
300
|