恒捷供應(yīng)鏈
CP191V-2N2222A-CT20
加入對比型號： CP191V-2N2222A-CT20
品牌： CENTRAL
類別： IGBT陣列
封裝： Die
描述： Central Semiconductor CP191V-2N2222A-CT20雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) NPN 2N2222A 75Vcbo Bare die-Waffle Pack
品牌官網(wǎng)： www.centralsemi.com
- 賣盤信息
- 參數(shù)
- 常見問題
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
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包裝
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Tray
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封裝外殼
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Die
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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1V @ 50mA, 500mA
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躍遷頻率
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300MHz
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功率 - 最大值
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-
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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800mA
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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40V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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10nA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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100 @ 150mA, 10V
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
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40 V
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集電極—基極電壓 VCBO
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75 V
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集電極—射極飽和電壓
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1 V
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子類別
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Transistors
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制造商
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Central Semiconductor
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增益帶寬產(chǎn)品fT
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300 MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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最小工作溫度
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- 65 C
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最大直流電集電極電流
|
800 mA
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封裝 / 箱體
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Die
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集電極連續(xù)電流
|
800 mA
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工廠包裝數(shù)量
|
20
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晶體管極性
|
NPN
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商標
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Central Semiconductor
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封裝
|
Waffle
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最大工作溫度
|
+ 150 C
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安裝風格
|
SMD/SMT
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發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
|
6 V
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直流電流增益 hFE 最大值
|
300
|
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