恒捷供應鏈
ZXTN2005GTA
加入對比型號： ZXTN2005GTA
類別： IGBT陣列
封裝： TO-261-4, TO-261AA
描述： DiodesIncorporatedZXTN2005GTA
品牌官網： www.diodes.com
- 賣盤信息
- 常見問題
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-
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| 參數 | 數值 |
|---|---|
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封裝外殼
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TO-261-4, TO-261AA
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系列
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-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
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230mV @ 150mA, 6.5A
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躍遷頻率
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150MHz
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功率 - 最大值
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3W
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供應商器件封裝
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SOT-223
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
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7A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
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25V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
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50nA (ICBO)
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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300 @ 1A, 1V
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Pd-功率耗散
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3W
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直流電流增益hFE最大值
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300
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制造商
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DiodesIncorporated
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最小工作溫度
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-55C
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最大直流電集電極電流
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7A
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集電極連續(xù)電流
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7A
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商標
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DiodesIncorporated
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+150C
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安裝風格
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SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
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60V
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系列
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ZXTN2005
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產品fT
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150MHz
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產品種類
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雙極晶體管-雙極結型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
25V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
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300at10mAat1V，300at1Aat1V，200at7Aat1V，40at20Aat1V
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工廠包裝數量
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1000
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晶體管極性
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NPN
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
7V
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