NJD35N04T4G
型號: NJD35N04T4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: 安森美 達(dá)林頓管, 4 A, 每片1芯片 NPN, Vce=350 V, HFE=2000, 3引腳 DPAK (TO-252)封裝
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
1.5V @ 20mA, 2A
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躍遷頻率
|
90MHz
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功率 - 最大值
|
45W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
4A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
350V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
50μA
|
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
2000 @ 2A, 2V
|
最大集電極-基極截止電流
|
250mA
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安裝類型
|
表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
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1
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最大功率耗散
|
45W
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最大發(fā)射極-基極電壓
|
5V
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最低工作溫度
|
-65°C
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引腳數(shù)目
|
3
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最大基極-發(fā)射極飽和電壓
|
2V
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尺寸
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6.73x7.49x2.38mm
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最小直流電流增益
|
2000
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
350V
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最大集電極-基極電壓
|
700V
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封裝類型
|
DPAK(TO-252)
|
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
1.5V
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Vceo
|
350V
|
hFE
|
300hFE
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晶體管封裝類型
|
TO-252
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晶體管極性
|
雙NPN
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功耗Pd
|
45W
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集電極直流電流
|
4A
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
-MSL
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工作溫度最高值
|
150°C
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產(chǎn)品范圍
|
-
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針腳數(shù)
|
3引腳
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