NSS1C301ET4G
型號(hào): NSS1C301ET4G
類別: IGBT陣列
封裝: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述: 單晶體管 雙極, NPN, 100 V, 120 MHz, 33 W, 3 A, 80 hFE
品牌官網(wǎng): www.onsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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系列
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-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
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250mV @ 300mA, 3A
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躍遷頻率
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120MHz
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功率 - 最大值
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2.1W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
3A
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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120 @ 1A, 2V
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Vceo
|
100V
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hFE
|
80hFE
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晶體管封裝類型
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TO-252
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晶體管極性
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NPN
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功耗Pd
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33W
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集電極直流電流
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3A
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汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
|
AEC-Q101MSL
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工作溫度最高值
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150°C
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產(chǎn)品范圍
|
-
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ft
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120MHz
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針腳數(shù)
|
3引腳
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