恒捷供應(yīng)鏈
NJVMJD42CT4G
加入對比型號： NJVMJD42CT4G
類別： IGBT陣列
封裝： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述： ON Semiconductor 晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 6 A, DPAK (TO-252)封裝, 1 MHz, 3引腳
品牌官網(wǎng)： www.onsemi.com
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-
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| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
|
封裝外殼
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
|
系列
|
-
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不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）
|
1.5V @ 600mA, 6A
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躍遷頻率
|
3MHz
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功率 - 最大值
|
1.75W
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供應(yīng)商器件封裝
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DPAK-3
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電流 - 集電極（Ic）（最大值）
|
6A
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電壓 - 集射極擊穿（最大值）
|
100V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止（最大值）
|
50μA
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不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
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15 @ 3A, 4V
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安裝類型
|
表面貼裝
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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最大功率耗散
|
20W
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最大發(fā)射極-基極電壓
|
5V
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最低工作溫度
|
-65°C
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引腳數(shù)目
|
3
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最大工作頻率
|
1MHz
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尺寸
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6.73x6.22x2.38mm
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最小直流電流增益
|
15
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
符合
|
|
最大集電極-發(fā)射極電壓
|
100V
|
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最大直流集電極電流
|
6A
|
|
最大集電極-基極電壓
|
100V直流
|
|
封裝類型
|
DPAK(TO-252)
|
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最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
|
1.5V直流
|
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Pd-功率耗散
|
1750mW
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直流電流增益hFE最大值
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30at0.3Aat4V
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零件號別名
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NJVMJD42CT4G-VF01
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制造商
|
ONSemiconductor
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|
最小工作溫度
|
-65C
|
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最大直流電集電極電流
|
6A
|
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商標(biāo)
|
ONSemiconductor
|
|
封裝
|
Reel
|
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最大工作溫度
|
+150C
|
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
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集電極—基極電壓VCBO
|
100V
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資格
|
AEC-Q101
|
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系列
|
MJD42C
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子類別
|
Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
|
3MHz
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產(chǎn)品種類
|
雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
100V
|
|
直流集電極/BaseGainhfeMin
|
30
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
2500
|
|
晶體管極性
|
PNP
|
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
|
|
配置
|
Single
|